- 您现在的位置：买卖IC网 > Sheet目录131 > DSEI30-12A (IXYS)DIODE FRED 1200V 26A TO-247AD
           ? 2000 IXYS All rights reserved 2 - 2 DSEI 30, 1200 V 0.001 0.01 0.1 1 10s 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 t ZthJC K/W 0 200 400 600A/μs 0 10 20 30 40 50 60 TVJ=125°C IF=30A diF/dt tfr VFR tfr ns 0 200 400 600 800 1000 1200 V VFR 0 200 400 600A/μs 0.0 0.2 0.4 trr 0.6 0.8 1.0 -diF/dt typ. max. 0 40 80 120 160°C 0.0 0.2 0.4 0.6 f 0.8 1.0 1.2 1.4 K QR IRM TJ 0 200 400 600A/μs 0 10 20 30 40 50 A TVJ=100°C VR= 540V max. typ. 1 10 100 1000A/μs 0 1 2 3 4 5 6 TVJ=100°C μC IRM -diF/dt Qr 01234V 0 10 20 30 40 50 60 70 VF IF TVJ=150°C TVJ=100°C TVJ=25°C A IF=15A F=30A F=60A IF=30A I I VR= 540V max. typ. F=30A F=60A F=30A IF=15A I I I VR=540V TVJ=100°C IF=15A IF=30A F=30A IF=60A I μs -diF/dt Dimensions Dim. Millimeter Inches Min. Max. Min. Max. A 19.81 20.32 0.780 0.800 B 20.80 21.46 0.819 0.845 C 15.75 16.26 0.610 0.640 D 3.55 3.65 0.140 0.144 E 4.32 5.49 0.170 0.216 F 5.4 6.2 0.212 0.244 G 1.65 2.13 0.065 0.084 H - 4.5 - 0.177 J 1.0 1.4 0.040 0.055 K 10.8 11.0 0.426 0.433 L 4.7 5.3 0.185 0.209 M 0.4 0.8 0.016 0.031 N 2.2 2.54 0.087 0.102 Fig. 1 Forward current Fig. 2 Recovery charge versus -diF/dt. Fig. 3 Peak reverse current versus versus voltage drop. -diF/dt. Fig. 4 Dynamic parameters versus Fig. 5 Recovery time versus -diF/dt. Fig. 6 Peak forward voltage junction temperature. versus diF/dt. Fig. 7 Transient thermal impedance junction to case. |